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【学术报告】空位短程序材料的高比容储能机理研究

发布日期:2021-10-13    来源部门:     点击次数:

报告人:王成新 教授 博导 国家杰出青年基金获得者    

报告时间:2021年10月17日上午11时    

报告地点:浙江省精细化学品传统工艺替代技术研究重点实验室会议室308室  

 

报告人简介:王成新,中山大学教授,博士生导师,国家杰出青年基金获得者(2011年)。全国材料新技术发展研究会常务理事,国家基金委材料学部优青、重点、面青地会评专家。 致力于纳米储能材料、IV主族元素纳米材料的理论与应用、二维材料光电特性等领域研究。已在Nat. Comm., J. Am. Chem. Soc., Angew. Chem. Int. Ed.; Nano Letters; ACS Nano等期刊上发表SCI收录论文200余篇。相关研究获得国家自然科学二等奖(排名第二)、广东省科学技术奖(自然科学类)一等奖(排名第二)一项。  

 

报告内容简介二次电池储能领域,理论和实践研究表明:提高空位浓度能直接提高储能离子的容纳量、改善离子/电子传导,还能间接稳定晶体结构,缓解嵌/脱储能离子引起的体积膨胀,粉化等负效应;然而,有关空位局域富集、及其与储能离子的交互作用等研究尚属空白。我们近期发现:局域聚集(短程序构)的空位(功能基元),能显著降低储能离子嵌/脱和扩散、迁移等能垒,使常规非/低活性的储能材料表现出颠覆性的储能比容量。基于此,本项目拟结合理论和实验:首先,研究空位聚集的现象,揭示短程序构空位存在的条件、原因,及机制;然后,研究短程序构空位的储能过程,探讨多空位之间,空位与储能离子之间的交互作用,及其激活储能材料高比容储能的内涵和外延;最后,尝试将有关短程序构空位的相关理论和实验拓展至其它结构缺陷。本项目的研究将开辟基于空位短程序构的高比容储能新模式和方向,衍生一系列基于缺陷序构的新材料,为储能领域引入一种全新的高比容储能技术。  

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